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    Ramtron公司(鐵電)介紹
    Ramtron中文名稱是鐵電
    關于Ramtron公司介紹

    Ramtron成立于1984年,作為一家研究和開發鐵電技術用于半導體存儲器公司。從1984年到1992年底,具有天才設計師的Ramtron團隊研究和開發了鐵電材料,并且完全符合CMOS半導體制造工藝標準。

    在1993到1997年間,Ramtron建立了目前的總部,并開始運行F-RAM試點生產工廠,工廠完成后,Ramtron開始銷售鐵電存儲器產品和授權F-RAM技術給頂級半導體公司。

    Ramtron第一個授權的公司,羅姆(ROHM)電子在1998年開始生產,Ramtron停止了所有工業制造的設備,開始作為一家無晶圓半導體公司運作。Ramtron和各種合作伙伴共同發展,繼續使用自己的設備進行前沿的F-RAM研究和開發活動。

    今天,Ramtron已經成長為一家無晶圓芯片公司。公司出售獨一無二的高性能產品給全球的電子OEM廠商,并與領先半導體制造商保持著授權和制造伙伴關系。Ramtron的商業F-RAM產品全部由美國和日本的戰略代工廠所制造,并計劃為我們的產品擴大生產供應的來源。

    什么是F-RAM

    半導體存儲器入門
     
    相對于其它類型的半導體技術而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用,高性能,但它們有著共同的弱點:在掉電的情況下會失去所保存的數據。
     
    F-RAM芯片包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜,通常被稱為PZT(圖1)。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性,從而產生一個二進制開關。與RAM器件不同,F-RAM在電源被關閉或中斷時,由于PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。

    F-RAM、ROM都屬于非易失性存儲器,在掉電情況下數據不會丟失。新一代ROM,像EEPROM(可擦可編程只讀存儲器)和Flash存儲器,可以被擦除,并多次重復編程,但它們需要高電壓寫入且寫入速度非常慢;赗OM技術的存儲器讀寫周期有限(僅為1E5次),使它們不適合高耐性工業應用。

    F-RAM比一般串口EEPROM器件有超過10,000倍的耐性,低于3,000倍的功耗和將近500倍的寫入速度(圖 2)。

    F-RAM結合了RAM和ROM的優勢,與傳統的非易失存儲器相比,具有高速、低功耗、長壽命的特點。

    可向Ramtron原廠(鐵電)或Ramtron代理商咨詢大批量及期貨支持,Ramtron公司現貨庫存產品購買咨詢:0755-27850456 · 82701202
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    Ramtron代理商銷售串行和并行鐵電隨機存儲器(F-RAM)以及基于處理器系統的集成多種常用Ramtron公司分立模擬和混合信號功能的處理器

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